Представлена новая технология производства нанотранзисторов
Опубликовано ssu-filippov в 15 июля, 2011 - 00:39
В американской компании Applied Materials
научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы
получался 22-нанометровый чип с транзистором.
Нанотранзистор, сконструированный специалистами
Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего
слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего
атомы азота.
...
Читать дальше »
