Сайт об интересной и научно-технической информации
Воскресенье, 29.12.2024, 00:01
Меню сайта

Категории раздела
Новости наномира [203]
Новости материаловедения [90]
Влияние водорода на свойства сталей [9]
Водородная энергетика [28]
Новости образования [164]
Новости IT [580]
Сообщения о наиболее важных и интересных событиях [399]
Здоровье [247]
Разное [662]
новости науки и техники [588]
компьютерные игры [33]
программирование [6]
СЕКС SEX [73]
ВОДОРОД [34]
ПСИХОЛОГИЯ [61]
ЮМОР [6]
Это интересно [33]
Путешествия [20]
Сплавы [23]
Стали [0]
Кинокритика [3]
ТРИБОЛОГИЯ [3]
Разрушение материалов [0]
Чугуны [0]
Альтернативная энергетика [6]
Кинокритика [2]
Наука й техніка [1]
на український мові
Wissen [2]
Science and Development [42]
НОВОСТИ УКРАИНЫ [43]
МИРОВЫЕ НОВОСТИ [12]
АВТОМОБИЛЬНЫЕ НОВОСТИ [48]
МОДА [6]
СПОРТ, SPORT [28]
АРХИТЕКТУРА [1]
НЕВЕРОЯТНОЕ [0]
ИСТОРИЯ [1]
ИСТОРИИ ИЗ ЖИЗНИ [0]

Статистика

Онлайн всего: 8
Гостей: 8
Пользователей: 0

Форма входа

Поиск

Календарь

Архив записей

Реклама
  • Сайт Колесникова Валерия Александровича
  • Краснодонский факультет Инженерии и Менеджмента
  • FAQ по системе
  • Английский язык для всех
  • Форум по английскому языку

  • Главная » 2011 » Июль » 15 » Представлена новая технология производства нанотранзисторов
    08:41
    Представлена новая технология производства нанотранзисторов

    Представлена новая технология производства нанотранзисторов

    В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.

    Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.

    ald_large.png Рис. 1. Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials).

    Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.

    Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.

    Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля в Сан-Франциско (США).

    s)
    Источник(и):

    1. Applied Materials

    2. compulenta.ru

    http://www.nanonewsnet.ru/news/2011/predstavlena-novaya-tekhnologiya-proizvodstva-nanotranzistorov
    Категория: Новости наномира | Просмотров: 584 | Добавил: Professor | Рейтинг: 0.0/0
    Всего комментариев: 0
    Имя *:
    Email *:
    Код *:
    Copyright MyCorp © 2024
    Сделать бесплатный сайт с uCoz