Наночастицы как основа для создания флэш-памяти нового типа
Опубликовано ssu-filippov в 8 октября, 2010 - 02:18 
Новый вид энергоемких материалов, идеально
подходящих для использования в флэш-памяти, был обнаружен
исследователями из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли и
Калифорнийского университета в Беркли. Эти материалы могут быть
использованы для создания нового типа памяти на основе фазовых переходов
с произвольным доступом (phase change random access memory, PCM), и,
возможно, для создания новых устройств оптического хранения данных.
Проводя эксперименты с крошечными
...
Читать дальше »
