Учёные из новосибирского Института физики им. Л. В. Киренского под руководством Дмитрия Калинина изобрели новый способ получения фотонно-кристаллических опаловых пленок. С фотонными кристаллами связывают будущее электроники.

Сибирские ученые разработали новый метод получения опаловых пленок. Для выращивания используется смесь микрочастиц диоксида кремния и диметилсульфоксида (ДМСО). Эта смесь лиофильна, т. е. в ней твердые частицы «притягивают» к себе молекулы жидкости. Частицы кремнезема заряжены положительно, поэтому на них "налипают" полярные молекулы жидкости. В результате вокруг микросфер образуются оболочки, которые не дают частицам кремнезема соприкоснуться друг с другом. После приготовления смесь наносят на подложку. Под действием силы тяжести получившиеся частицы диоксида кремния, одетые в «шубу» из молекул жидкости, оседают, образуя на подложке несколько слоев с большой концентрацией частиц диоксида кремния. Затем жидкость выпаривается, а на подложке остается готовая опаловая пленка.

Получаемые таким способом пленки имеют толщину 25—30 слоев частиц кремнезема или 3—5 мкм. Частицы уложены в слои с гексагональной упаковкой параллельно плоскости подложки. По функциональным и механическим характеристикам получаемые пленки превосходят пленки, получаемые прочими способами, утверждают исследователи.