Главная » 2010»Ноябрь»3 » Новый высокоскоростной диод может в корне изменить современную микроэлектронику
06:27
Новый высокоскоростной диод может в корне изменить современную микроэлектронику
Новый высокоскоростной диод может в корне изменить современную микроэлектронику
Опубликовано ssu-filippov в 3 ноября, 2010 - 03:21
Опытный образец необычного диода, способного работать с высокой скоростью, построен в университете Орегона (OSU).
Диод типа металл-изолятор-металл (metal-insulator-metal – MIM) использует квантово-механический эффект: туннелирование электронов сквозь очень тонкий слой диэлектрика.
Исследователи пытались сделать такой прибор на протяжении
десятилетий, до сих пор без успеха", – говорит один из авторов работы
Дуглас Кеслер (Douglas Keszler). Он поясняет, что MIM-диоды, созданные в
других лабораториях, не радовали высокой производительностью.
Между тем сам по себе диод такого типа перспективен. Он может
сочетать высокую скорость работы (электроны туннелируют мгновенно) и
низкую цену. Со слов Кеслера, потенциально схемы на основе диодов MIM
могут быть даже дешевле, чем нынешние чипы на базе кремния.
Ключом к новой вариации MIM-диода стало применение тонкого слоя аморфного металла
в качестве контакта. Этот слой образует с диэлектриком бесшовное и
плотное соединение буквально на атомарном уровне, так что электроны
получают возможность беспрепятственно перепрыгивать через «барьер».
Американские физики говорят, что технология совместима с легкодоступными металлами (медью, никелем, алюминием). При этом возможна печать новых схем на крупных подложках из разного материала.
Результаты исследований опубликованы в статье: E. William Cowell
III, Nasir Alimardani, Christopher C. Knutson, John F. Conley Jr.,
Douglas A. Keszler, Brady J. Gibbons, John F. Wager Advancing MIM Electronics: Amorphous Metal Electrodes. – Advanced Materials. – 25 OCT 2010. – DOI: 10.1002/adma.201002678.
