Samsung продолжает развивать свое направление твердотельных
накопителей и ставить рекорды. Так, в новейшем устройстве такого рода
корейский электронный гигант применил чипы флэш-памяти нового
поколения, что обеспечило прирост по всем основным характеристикам SSD
без увеличения энергопотребления.
Samsung представила свой новый флагманский SSD-накопитель, который
отличается увеличенным вдвое в сравнении с предшественником объемом
памяти и повышенной скоростью обмена данными. Аппарат содержит новейшие
чипы флэш-памяти DDR NAND объемом 32 Гбит, которые созданы с
соблюдением норм 30-нм техпроцесса, сообщает Engadget.
Применение оригинальных технологий и интерфейса SATA II позволило
Samsung добиться скорости передачи данных в режиме чтения до 250 МБ/с,
в режиме записи - до 220 МБ/с, что как минимум втрое превышает
производительность традиционного накопителя на базе жестких дисков. При
этом энергопотребление нового 512-гигабайтного SSD-накопителя Samsung
осталось на таком же уровне, как и у предшествующей 256-гигабайтной
модели. Стоит также добавить, что новинка поддерживает реализованную в
Windows 7 функцию TRIM. Она увеличивает общую производительность и
время жизни накопителя. Еще одна особенность новинки - поддержка
шифрования с 256-битным алгоритмом AES на аппаратном уровне. О цене
новинки пока информации не поступало.
