Энергонезависимая компьютерная память, работающая на основе эффекта фазовых переходов
(phase-change memory, PCM или PRAM), разрабатывается уже достаточно
давно. К примеру, компания Samsung уже пробовала использовать такой тип
памяти в некоторых моделях своих смартфонов, но в любом случае,
плотность хранения информации и скорость записи в PCM-память сопоставимы
с аналогичными характеристиками Flash-памяти. Группе ученых из
Кембриджского университета, применим метод предварительной организации
атомов активного вещества PCM-памяти, удалось сократить время записи
информации до значения, не превышающего одну наносекунду. |